要旨

異なるメーカーの2種類の高感度pチャネルMOSFET(RADFET)について、ガンマ線照射と照射後の応答を研究した。さらに標準的な線量測定アプリケーションでは、単一指定電流での閾値電圧測定に加え、トランジスタおよびチャージ・ポンピング特性をモニターした。これは照射とそれに続く高温でのアニール中に生じるプロセスについて、より詳細な知見を得るうえで有用であることが示された。特に研究対象デバイスにおけるスイッチング酸化物トラップ（「境界」トラップとも呼ばれる）と電子トラップの役割が明らかになった。

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