ニュース、業界動向、出版物
この分野の専門家による重要な業界動向や出版物など、バラディスやこの業界に関する最新のニュースをご覧ください。
バラディス宇宙事業、2023年に急成長
バラディス・スペース社にとって2023年は素晴らしい年であった。主要な国際宇宙機関や宇宙企業は、重要な主要プロジェクトの放射線モニタリングにバラディスのセンサーを採用し続けた： NASAのアルテミス1号は月を周回し、10個のキューブサットを配備した。
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バラディス放射線検出センサー、小惑星探査ミッションに搭載へ
高エネルギー放射線検出センサーのリーディングプロバイダーであるバラディスは、JAXA（宇宙航空研究開発機構）が2024年に打ち上げを予定しているDESTINY+ミッションにおいて、吸収された電離放射線を測定するために同社のVT06放射線検出センサーを使用することを発表しました。このミッションは、小惑星ファエトンを探査し...
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バラディス放射線検出センサーがNASA認証を取得
Varadis放射線検出センサ、NASA認証を取得 高エネルギー放射線検出センサのリーディングプロバイダーであるVaradisは、VT06 RADFETがNASA EEE-INST-002 S1レベル3スクリーニング部品として認証されたことを発表いたします。NASAのEEE-INST-002 S1レベル3は、破壊的物理分析（DPA）とスクリーニングの両方をカバーしています。
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月面に着陸するバラディス放射線検出センサー
月面に着陸するバラディス放射線検出センサー バラディスは、高エネルギー放射線検出センサーのリーディングプロバイダーです。台湾の国立中央大学宇宙物理工学センター（Center for Astronautical Physics and Engineering, National Central University)の深宇宙放射線探査機（DSRP）による電離放射線の測定に、バラディスの放射線検出センサーが採用されました。この探査機は、2024年に月着陸ロケットに搭載されて月へ向けて打ち上げられる予定です。
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エネルギーハーベスティングによる無線センサーネットワーク用超低消費電力RADFETセンシング回路
IoTコミュニティで、バラディスのセンサーに対する関心が高まっています。
最近、英国エクセター大学の研究者は、当社のRADFETと低電力センシング回路を組み合わせることで、圧電ハーベスタを電源とするワイヤレス・センサ・ノードが正常に動作することを示しました。2016年に開催されたIEEE Sensorsカンファレンスで、エクセター大学の研究者らによって新しい低消費電力センシング回路が発表されました。低消費電力センシング回路と適切なワイヤレス・センシング・ノード技術の組み合わせにより、スマート・シティ・モニタリングなどの分野で、当社のRADFETの応用が広がります。...
COTS部品をベースに線量範囲を1kGy TIDまで拡大した改良型RADFETベースモジュール
バラディス（アイルランドのコークに拠点とするティンダル国立研究所のスピンアウト企業）により、改良型RADFETに基づくモジュール線量計が開発され、シリアル番号はRM-VT01-Aです。このモジュールは市販の市販部品（COTS）に基づいており、同じくCOTS部品に基づいた上限線量10Gy（1kRad）の前身であるRM-VT01の更新版です。
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NANOSAT-1B衛星に搭載された2つのRADFETによるTIDと線量率の軌道上測定
概要：2009年から2015年7月のミッション終了まで、NANOSAT-1Bに搭載されたティンダルの2つの異なるRADFETからのTIDと線量率のデータを示す。データは予測モデルと一致している。
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バラディスRADFETが、ロゼッタ宇宙ミッションにおいて重要なデータを提供
要旨 : ロゼッタは、67P/Churyumov-Gerasimenko彗星への10年以上にわたる飛行において、軌道上観測装置COSIMAと着陸装置SESAMEの中央電子機器にRadFET電離線量モニターを搭載した。線量計の測定値は、測定中のデバイスの温度によって補正された。RadFETの感度は衝突する荷電粒子のエネルギーに依存するため、ロゼッタの放射線環境の陽子エネルギースペクトルに9つの効率モデルを適用して、一般的な陽子放射線の平均効率係数を決定した。
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エンジニア日誌： ティンダルの放射線検出技術がバラディスにスピンアウト
ティンダル国立研究所で開発された新しい放射線検出技術が、アイルランドのコークを拠点とするバラディスに独占ライセンスされました。 ガンマ線、陽子線、X線などの電離放射線 ティンダル国立研究所で開発された新しい放射線検出技術が、コークに本社を置くバラディスに独占ライセンス供与されることが発表された。写真クレア・キョウ
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高線量域RADFETのガンマ線照射と照射後応答
要旨：異なるメーカーの2種類の高感度pチャネルMOSFET(RADFET)について、ガンマ線照射と照射後の応答を研究した。さらに標準的な線量測定アプリケーションでは、単一指定電流での閾値電圧測定に加え、トランジスタおよびチャージ・ポンピング特性をモニターした。これは照射とそれに続く高温でのアニール中に生じるプロセスについて、より詳細な知見を得るうえで有用であることが示された。特に研究対象デバイスにおけるスイッチング酸化物トラップ（「境界」トラップとも呼ばれる）と電子トラップの役割が明らかになった。
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