摘要：
本文研究了具有100nm厚的Er2O3栅极电介质的MOSFET的辐照前器件特性、伽马辐射响应及其在辐射剂量测定中的可能应用。这些新型器件的性能已经与具有相同厚度的标准SiO2栅极氧化层的商用pMOS剂量计（RadFET）的性能进行了比较。Er2O3的辐射敏感性明显高于SiO2，这在较低剂量水平下尤为明显。在辐射照射过程中，Er2O3电介质中捕获的正电荷数量明显大于SiO2介质中捕获的正电荷数量，因此导致阈值电压位移增加。室温退火2周后，SiO2和Er2O3样品的衰退率分别为11.9%和24.0%。Er2O3的衰退率更高，这可能与靠近电介质/硅界面的浅陷阱的数量更多有关。这些初步结果为Er2O3成为pMOS剂量计中的新型栅极电介质提供了可能。观察到的器件灵敏度的增强可能是pMOS剂量计引入个人剂量学应用中的一个里程碑。
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