我们的产品范围
RADFET、辐射探测器和剂量测定系统
Varadis辐射探测器，称为RADFET，是一种优化了的离散p沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），该优化使其对辐射的敏感性提升。这种微电子芯片经过特别的工程设计，对高能（电离）辐射具有敏感性。
Varadis的RADFET(辐射探测场效应晶体管)具有体积小、性价比高、坚固耐用、无需电源等优点，其很容易集成到辐射剂量测定系统中。
您可以选择使用一个单独的RADFET集成到您的设计中，或者使用一个读出模块，该模块提供优化的RADFET读出，从而减少开发时间和成本。
为什么选择Varadis RADFET?
- 市场上具有如此大的动态范围的辐射探测器中体积最小
- 即使在高达>3000cGy的高剂量辐照后仍然能有效工作
- 结合了有源和无源检测器的最佳功能
- 结合了有源和无源辐射探测器的优点
- 与有源探测器不同，不受灾难性事件导致的停电的影响
- Varadis器件和系统可轻松集成到无线网络基础设施中
RADFET读出模块
每个RADFET读出模块都包含一个RADFET和用于读出的关键电路，可以通过直接焊接到印刷电路板上或通过标准通孔排针连接器轻松集成到系统中。
读出模块可输出经过缓冲的模拟电压（RADFET阈值电压），该电压与RADFET的累积辐射剂量有关。
RADFET读出模块专为相对应的Varadis RADFET设计和优化，它的电流源针对每一颗RADFET探测器进行了单独调整，以最大限度地减少因温度引起的RADFET阈值电压漂移。
对RADFET的阈值电压进行了缓冲，以更容易与标准模数转换器集成，从而大大简化您的电子设计。RADFET有读出和辐照（感应）两种工作模式。
您可以通过TTL逻辑电平控制信号轻松选择所需的模式。
| VT01 | RM-VT01-A | 6引线SOT-23塑料 | 1 cGy（1 rad）至1 kGy（100 krad） | 2.9 x 2.8 x 1.1 |
| VT02 | RM-VT02-A | 8引线双列直插式封装 | 1 cGy（1 rad）至1 kGy（100 krad） | 10.3 x 7.9 x 3.05 |
| VT03 | RM-VT03-A | 6引线SOT-23塑料 | 3 mGy（0.3 rad）至10 kGy（1 krad） | 2.9 x 2.8 x 1.1 |
| VT04 | RM-VT04-A | 8引线双列直插式封装 | 3 mGy（0.3 rad）至10 kGy（1 krad） | 10.3 x 7.9 x 7.4 |
| VT05 | 不适用 | 6引线SOT-23塑料 | 10 Gy（1 krad）至10 kGy（1 Mrad） | 2.9 x 2.8 x 1.1 |
| VT06 | 不适用 | 8引线双列直插式封装 | 10 Gy（1 krad）至10 kGy（1 Mrad） | 10.3 x 7.9 x 7.4 |
| RADFET Reader | ||||
| RADFET Reader Pro | 不适用 | 不适用 | 1 cGy（1 rad）至1 kGy（100 krad） | |
如果您没有看到能够测量您所需剂量的产品，请联系我们讨论您的具体需求。
1 cGy（1 rad）至1 kGy（100 krad）的剂量
Varadis RADFET VT01
6引线SOT-23塑料封装的400nm RADFET
1 cGy（1 rad）和1 kGy（100 krad）之间的剂量
RADFET的关键区域是其栅极氧化层。通过生成和捕获栅极氧化层中的辐射诱导电荷，辐照改变了RADFET的输出电压，并且这种电压变化与辐射剂量有关。RADFET对辐射的响应是非线性的，所以要使用预先记录的校准曲线来读取剂量。读出是通过向Varadis RADFET VT01施加直流电流（在10s时间内μA级电流）并测量直流电压（在0.5至8伏范围内）来完成的。
重要信息：VT01 RADFET具有大的动态范围，从1 cGy（1 rad）到1 kGy（100 krad）。要全面了解此产品的功能和局限性，请查看产品手册。
Varadis RADFET读出模块RM-VT01-A
使用6引线SOT-23塑料封装的400nm RADFET
1 cGy（1 rad）和1 kGy（100 krad）之间的剂量
读出模块RM-VT01-A专为 RADFET VT01设计和优化，它的电流源针对每一颗RADFET探测器进行了单独调整，以最大限度地减少因温度引起的RADFET阈值电压漂移。
Varadis RADFET VT02
8引线双列直插式封装400nm RADFET
1 cGy（1 rad）和1 kGy（100 krad）之间的剂量
VT02是密封的，比塑料版本稍大。RADFET的关键区域是其栅极氧化层。通过生成和捕获栅极氧化层中的辐射诱导电荷，辐照改变了RADFET的输出电压，并且这种电压变化与辐射剂量有关。RADFET对辐射的响应是非线性的，所以要使用预先记录的校准曲线来读取剂量。读出是通过向Varadis RADFET VT02施加直流电流（在10s时间内μA级电流）并测量直流电压（在0.5至8伏范围内）来完成的。
VT02被全球众多航天机构使用，包括欧洲航天局、美国国家航空航天局和日本宇宙局。
重要信息：VT02 RADFET具有大的动态范围，从1 cGy（1 rad）到1 kGy（100 krad）。要全面了解此产品的功能和局限性，请查看产品手册。
Varadis RADFET读出模块RM-VT02-A
使用8引线双列直插式封装的400nm RADFET
1 cGy（1 rad）和1 kGy（100 krad）之间的剂量
读出模块RM-VT02-A专为 RADFET VT02设计和优化，它的电流源针对每一颗RADFET探测器进行了单独调整，以最大限度地减少因温度引起的RADFET阈值电压漂移。
3 mGy（0.3 rad）至10 kGy（1 krad）的剂量
Varadis RADFET VT03
6引线SOT-23塑料封装的1μm RADFET
3 mGy（0.3 rad）和10 Gy（1 krad）之间的剂量
RADFET的关键区域是其栅极氧化层。通过生成和捕获栅极氧化层中的辐射诱导电荷，辐照改变了RADFET的输出电压，并且这种电压变化与辐射剂量有关。RADFET对辐射的响应是非线性的，所以要使用预先记录的校准曲线来读取剂量。读出是通过向Varadis RADFET VT03施加直流电流（在10s时间内μA级电流）并测量直流电压（在5至9伏范围内）来完成的。
Varadis RADFET读出模块RM-VT03-A
使用6引线SOT-23塑料封装的1μm RADFET
3 mGy（0.3 rad）和10 Gy（1 krad）之间的剂量
读出模块RM-VT03-A专为 RADFET VT03设计和优化，它的电流源针对每一颗RADFET探测器进行了单独调整，以最大限度地减少因温度引起的RADFET阈值电压漂移。
Varadis RADFET VT04
8引线双列直插式封装1μm RADFET
3 mGy（0.3 rad）和10 Gy（1 krad）之间的剂量
RADFET的关键区域是其栅极氧化层。通过生成和捕获栅极氧化层中的辐射诱导电荷，辐照改变了RADFET的输出电压，并且这种电压变化与辐射剂量有关。RADFET对辐射的响应是非线性的，所以要使用预先记录的校准曲线来读取剂量。读出是通过向Varadis RADFET VT04施加直流电流（在10s时间内μA级电流）并测量直流电压（在5至9伏范围内）来完成的。
Varadis RADFET读出模块RM-VT04-A
使用8引线双列直插式封装1μm RADFET
3 mGy（0.3 rad）和10 Gy（1 krad）之间的剂量
读出模块RM-VT04-A专为 RADFET VT04设计和优化，它的电流源针对每一颗RADFET探测器进行了单独调整，以最大限度地减少因温度引起的RADFET阈值电压漂移。
10 Gy（1 krad）至10 kGy（1 krad）的剂量
Varadis RADFET VT05
6引线SOT-23塑料封装的100nm RADFET
10 Gy（1 krad）和10 kGy（1 Mrad）之间的剂量
RADFET的关键区域是其栅极氧化层。通过生成和捕获栅极氧化层中的辐射诱导电荷，辐照改变了RADFET的输出电压，并且这种电压变化与辐射剂量有关。RADFET对辐射的响应是非线性的，所以要使用预先记录的校准曲线来读取剂量。读出是通过向Varadis RADFET VT05施加直流电流（在10s时间内μA级电流）并测量直流电压（在2.1至3.5伏范围内）来完成的。
重要信息：VT05 RADFET具有大的动态范围，从10 Gy（1 krad）到10 kGy（1 Mrad）。要全面了解此产品的功能和局限性，请查看产品手册。
Varadis RADFET VT06
8引线双列直插式封装100nm RADFET
10 Gy（1 krad）和10 kGy（1 Mrad）之间的剂量
RADFET的关键区域是其栅极氧化层。通过生成和捕获栅极氧化层中的辐射诱导电荷，辐照改变了RADFET的输出电压，并且这种电压变化与辐射剂量有关。RADFET对辐射的响应是非线性的，所以要使用预先记录的校准曲线来读取剂量。读出是通过向Varadis RADFET VT06施加直流电流（在10s时间内μA级电流）并测量直流电压（在2.1至3.5伏范围内）来完成的。
重要信息：VT06 RADFET具有大的动态范围，从10 Gy（1 krad）到10 kGy（1 Mrad）。要全面了解此产品的功能和局限性，请查看数据表。
用于测量RADFET的输出电压
RADFET Reader Pro
用于测量RADFET的输出电压
RADFET Reader PRO是一种手持式电池供电的剂量计，用于测量Varadis RADFET的输出电压。
RADFET Reader PRO采用了在一种应用于航空领域的创新技术。它既具备无源系统的简易性和成本优势，又具备有源剂量测定的优点，还实现了那些体积更大昂贵的剂量系统的功能性。
与以下Varadis产品兼容：
- Varadis 400nm RADFET
- Varadis 100nm RADFET
- Varadis 1μm RADFET