要旨

照射された放射線感応型電界効果トランジスタ(RADFET)を室温から200℃まで等温アニールする際の固定トラップ(FT)密度Nft(cm-2)をモデリングした。その結果、正電荷を帯びた電界効果トランジスタ(PCFT)用の欠陥と負電荷を帯びた電界効果トランジスタ(NCFT)用の欠陥の2種類を含む単純な2欠陥モデル(2DM)が100℃まで適用可能であることがわかった。しかし、100℃から200℃の温度では、PCFTタイプを追加した3欠陥モデル（3DM）を使用する必要があります。等温アニール中のNCFTの挙動を記述するモデルも分析されている。

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