摘要：

本文研究了来自不同厂家的两种对辐射敏感的p沟道MOSFET（RADFET）的伽妈射线辐照和辐照后响应。此外，在剂量学应用标准中，在单一指定电流下的阈值电压测量，晶体管和电荷泵特性已被监测。这已被证明可用于对在辐照期间和随后的高温下退火期间发生的工艺提供更详细的见解。特别是，揭示了开关氧化层陷阱（也称为“边界”陷阱）和电子陷阱在研究器件中的作用。

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