摘要：

固定陷阱（FT）的密度，Nft（cm−2），在辐照辐射敏感场效应晶体管（RADFET）从室温到200◦C的等温退火期间已经模拟好。建模显示，一个简单的双缺陷模型（2DM），包含两种缺陷类型：一种缺陷类型为正电荷固定缺陷（PCFT），另一种为负电荷固定缺陷（NCFT），适用温度高达100◦C。然而，三缺陷模型（3DM），其中包括额外的正电荷固定缺陷类型的模型，应用于100到200◦C。本文还分析了描述负电荷固定缺陷在等温退火过程中的行为的模型。

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