Skip to content

新闻和见解

新闻、见解和出版物

获取有关Varadis和我们行业的最新消息,包括该领域专家的重要见解和出版物。

辐照RADFET等温等时退火过程中的固定氧化层陷阱建模

2019年7月28日

Abstract: The density of fixed traps (FTs), Nft (cm−2), during isothermal annealing of irradiated radiation-sensitive field-effect transistors (RADFETs) from room temperature to 200 ◦C has been modelled. The modelling has shown that a simple, two-defect model (2DM), containing two defect types: one defect type for positively charged FTs (PCFTs), and…

了解更多

物理研究B的核装置和方法

2019年7月28日

摘要: 本文研究了具有100nm厚的Er2O3栅极电介质的MOSFET的辐照前器件特性、伽马辐射响应及其在辐射剂量测定中的可能应用。这些新型器件的性能已经与具有相同厚度的标准SiO2栅极氧化层的商用pMOS剂量计(RadFET)的性能进行了比较。Er2O3的辐射敏感性明显高于SiO2,这在较低剂量水平下尤为明显。....

了解更多