新闻、见解和出版物
获取有关Varadis和我们行业的最新消息，包括该领域专家的重要见解和出版物。
高剂量范围RADFET的伽马射线辐照和辐照后响应
摘要：本文研究了来自不同厂家的两种对辐射敏感的p沟道MOSFET（RADFET）的伽妈射线辐照和辐照后响应。此外，在剂量学应用标准中，在单一指定电流下的阈值电压测量，晶体管和电荷泵特性已被监测。...
了解更多
辐照RADFET等温等时退火过程中的固定氧化层陷阱建模
Abstract: The density of fixed traps (FTs), Nft (cm−2), during isothermal annealing of irradiated radiation-sensitive field-effect transistors (RADFETs) from room temperature to 200 ◦C has been modelled. The modelling has shown that a simple, two-defect model (2DM), containing two defect types: one defect type for positively charged FTs (PCFTs), and…
了解更多
物理研究B的核装置和方法
摘要： 本文研究了具有100nm厚的Er2O3栅极电介质的MOSFET的辐照前器件特性、伽马辐射响应及其在辐射剂量测定中的可能应用。这些新型器件的性能已经与具有相同厚度的标准SiO2栅极氧化层的商用pMOS剂量计（RadFET）的性能进行了比较。Er2O3的辐射敏感性明显高于SiO2，这在较低剂量水平下尤为明显。....
了解更多- « Previous
- 1
- 2